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IPP041N04N G /MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
IPP041N04N G的规格信息
IPP041N04N G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:4.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:94 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:4.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.8 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:IPP041N04NGXKSA1 IPP41N4NGXK SP000680790

单位重量:6 g

供应商IPP041N04N G
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现代芯城(深圳)科技有限公司IPP041N04N Gwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市宇浩扬科技有限公司IPP041N04N G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市域立航科技有限公司IPP041N04N G深圳市福田区华强北路1002号赛格广场41楼4108A (本公司可开13%增值税票)0755-82576356,83233239
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IPP041N04N G连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 45uA 漏源导通电阻:4.1mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):94W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO688.97 Kbytes共10页IPP041N04N G的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
IPP041N04N GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 Power TRANSITOR 40V 80A1000+:¥4.231+:¥7.83
10+:¥6.26
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Mouser 贸泽电子
IPP041N04N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 31:¥8.9157
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500:¥5.198
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Mouser 贸泽电子
IPP041N04N GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 Power TRANSITOR 40V 80A1000+:¥4.231+:¥7.83
10+:¥6.26
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10000+:¥3.73
25000+:¥3.61
50000+:¥3.54
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立创商城
IPP041N04N GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 45uA 漏源导通电阻:4.1mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):94W(Tc) 类型:N沟道1+:¥6.984
10+:¥5.193
30+:¥4.86
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